HOME arrow研究 arrow研究者一覧 arrowGUO,Lei

研究者詳細

researcher

GUO,Lei

かく らい / GUO, Lei

TEL: 0564-55-7401
メールアドレス: lguo_at_ims.ac.jp(_at_ は@に置き換えて下さい)
所属研究室:
場所: 明大寺キャンパス 極端紫外光研究施設

所属

極端紫外光研究施設

略歴

2007年  9月-2008年8月 北京工業大学材料科学技術学部 助手
2009年10月-2010年9月 広島大学大学院先端物質科学研究科量子物質科学専攻
2010年10月-2017年9月 広島大学大学院先端物質科学研究科量子物質科学専攻修士・博士

専門

CsK2Sbカソードの安定した高QEの実現とNEA表面の理解と長寿命化

主な研究テーマ

高性能線形加速器のためのフォトカソード研究
キーワード フォトカソード、CsK2Sb、NEA-GaAs、結晶構造、寿命(劣化)

代表的な論文・著書

  1. L. Guo, M. Kuriki, A. Yokota, M. Urano, K. Negishi. “Substrate dependence of CsK2Sb cathode” , Prog. Theor. Exp. Phys., 2017, 033G01 (10 pages).
  2. L. Guo, M. Kuriki, H. Iijima, K. Uchida. “NEA surface activation of GaAs photocathode with different gases”, Surface Science 664C (2017) pp. 65-69.