| 申込み |
申込みに当たっては、所内の担当者と十分協議してください。別紙様式６の記入に当たっては、課題名及び実施計画を具体的にお書きください。必要なマシンタイム（週数）の算出も行ってください。 実施可能期間は、前期が６月第１週から９月の第４週まで、後期が１０月第１週から３月第５週まで（年末年始を除く）の予定です。 なお、通年申請は、研究上の必要性が認められ、且つ、ビームタイムに余裕のある場合にのみ採択されます。これに該当しない場合には、通年申請であっても後期分について改めて全体で審査を行い採択を決定します。 |
|---|---|
| 採 否 |
研究所長の定めるところにより施設長が決定します。 なお、後期の実施計画については後期施設利用公募締切後に決定します。 |
| 実施方法 | 研究計画実施に当たっても、事前に所内の担当者と十分協議してください。課題審査基準の詳細につきましては、ホームページ(https://www.uvsor.ims.ac.jp/about/kizyun.html)をご覧ください。（場合によっては、申請された研究実施計画を変更させていただくことがあります。） |
| 研究報告 |
研究終了後３０日以内に所定の研究報告書を所長へ提出していただきます。 また、平成３１年３月３１日までに所定の英文Activity Reportを提出していただきます。 |
標準的な測定装置（測定槽、エレクトロニクス等）は用意しますが、それ以外は使用者の持ち込みとなります。
① ＢＬ１Ｂ･････テラヘルツ固体吸収反射分光装置
〔フーリエテラヘルツ干渉計 0.5～30 meV〕
② ＢＬ３Ｕ･････高輝度気体・液体・固体内殻分光装置
〔不等刻線平面回折格子分光器 60～800 eV〕
③ ＢＬ３Ｂ･････真空紫外固体吸収・発光分光装置
〔2.5ｍ直入射分光器 2～30 eV〕
④ ＢＬ４Ｕ･････走査型透過軟Ｘ線顕微鏡装置（STXM）
〔不等刻線平面回折格子分光器 100～700 eV〕
⑤ ＢＬ４Ｂ･････気体分光・固体分光装置（XMCD以外，XMCD※）
〔不等刻線平面回折格子分光器 25～900 eV〕
⑥ ＢＬ５Ｕ･････高輝度固体・表面光電子分光装置
〔不等刻線平面回折格子分光器 20～200 eV〕
⑦ ＢＬ５Ｂ･････機器較正装置
〔平面回折格子分光器 5～600 eV〕
⑧ ＢＬ６Ｂ･････赤外・テラヘルツ顕微分光装置
〔フーリエ赤外干渉計 5 meV～4 eV〕
⑨ ＢＬ７Ｕ･････高分解能真空紫外角度分解光電子分光装置
〔Wadsworth型分光器 6～40 eV〕
⑩ ＢＬ７Ｂ･････高分解能真空紫外固体分光装置
〔３ｍ直入射分光器 1.2～30 eV〕
⑪ ＢＬ８Ａ･････軟Ｘ線固体吸収分光・光電子分光装置
〔集光型二結晶分光器 830～4000 eV〕
（装置移設のため、８月より利用可能予定。）
⑫ 加速器装置･･・入射器、光源リング等
（注）以下の装置は（Ｂ）協力研究で利用できるものです。（ ）内は担当者です。
① ＢＬ１Ｕ･････コヒーレント放射光実験装置（加藤政博）
② ＢＬ６Ｕ･････高分解能角度分解光電子分光装置（解良聡）
〔不等刻線平面回折格子分光器 40～450 eV〕
※Ｘ線磁気円二色性分光（ＸＭＣＤ ＢＬ４Ｂ）を使用する場合は、文部科学省「ナノテクノロジープラットフォーム」事業（放射光利用支援）としての取扱いとなります。［ナノテクノロジープラットフォーム］用の申請メニューより申請してください。詳細は、ホームページ
詳細は、ホームページ（http://nanoims.ims.ac.jp/ims/index.html）をご覧ください。
■その他
各観測システムやＵＶＳＯＲ利用方法の詳細をお知りになりたい方は、
「ＵＶＳＯＲ施設ガイドブック」」
(https://www.uvsor.ims.ac.jp/guidebook/uvsorguide.pdf)をご覧ください。
また、ホームページ（https://www.uvsor.ims.ac.jp/）でも最新の情報が得られます。
