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利用装置一覧

分子研(施設利用)で、ご利用いただける装置の一覧です。
詳細については各施設の問い合わせ先にご確認ください。

極端紫外光研究施設(UVSOR)

【施設ホームページ】https://www.uvsor.ims.ac.jp/
【問い合わせ先】UVSOR施設利用ガイドブックの2ページをご覧になってください。
 

テラヘルツ固体吸収反射分光装置(BL1B(THz))
IMG_0078.png

通常の放射光を使うことで,波数4~240cm-1の反射・吸収スペクトルが測定できます。また,温度を4~500Kまで変えることができます。光は直線偏光しており,線二色性の測定が可能です。
フーリエテラヘルツ干渉計 0.5~30 meV

 

軟X線固体分光装置(BL2A(XAFS))
IMG_0094.png 二結晶分光器のビームラインです。分光結晶を換えることで585~4000eVの光が利用できます。固体試料の軟X線吸収測定を行うことができます。検出器は電子増倍管、蛍光測定用のシリコンドリフト検出器(SDD)を備えています。集光型二結晶分光器 585~4000 eV
真空紫外固体吸収・発光分光装置(BL3B(VUV))
BL3B.png BL3Bは2.5mm直入射分光器で3枚の回折格子を切り替えることによって40nm~730nmの光を利用できます。固体の吸収、反射、発光の測定を行うことができます。液体ヘリウムを用いて試料を10K付近まで冷却することが可能です。シングルバンチ運転時は蛍光寿命測定ができます。2.5m直入射分光器 2~30 eV
気体分光・固体分光装置(BL4B(XMCD以外))
IMG_0084.png 中程度の分解能(E/ΔE =1000~5000)で25~1000eVの光が利用できます。持込装置による軟X線分光実験や,固体試料の軟X線吸収分光(全電子収量又はSDDによる蛍光測定)ができます。
 不等刻線平面回折格子分光器 25~900 eV
機器較正装置(BL5B(機器較正))
BL5B.png BL5Bは平面回折格子分光器で3枚の回折格子と6枚のミラーの組み合わせを変えることによって2nm~200nmの光を利用できます。ミラーや回折格子の反射率の測定、個体試料の吸収や反射の測定ができます。平面回折格子分光器 5~600 eV
高輝度固体・表面光電子分光装置(BL5U(ARPES))
bl5u.jpg VUVから軟X線領域において固体・表面の角度分解光電子分光(ARPES)を行うためのビームラインです。持ち込みチャンバーを測定チャンバーに連結することができます。広いエネルギー範囲で直線・円偏光を利用した3次元ARPES測定が可能です。(平成26年度1月より高度化改造予定)SGM-TRAIN 20~250 eV
赤外・テラヘルツ顕微分光装置(BL6B(IR, THz))
IMG_0108.png 高輝度な赤外放射光を使うことで,500~1000cm-1の赤外顕微イメージングと100~600cm-1のテラヘルツ顕微分光が可能です。どちらも波長程度の空間分解能で測定できます。また,大きな試料の温度依存反射・吸収スペクトルの測定も可能です。
フーリエ赤外干渉計 5 meV~4 eV
高分解能真空紫外角度分解光電子分光装置(BL7U(ARPES))
bl7u.jpg VUV領域において固体の角度分解光電子分光(ARPES)を行うためのビームラインです。高い光フラックスと高いエネルギー分解能、また縦横直線偏光を任意に制御できるという特徴を生かした3次元ARPES測定が可能です。
Wadsworth型分光器 6~40 eV
高分解能真空紫外固体分光装置(BL7B(VUV))
BL7B.png BL7Bは3m直入射分光器で3枚の回折格子を切り替えることによって50nm~1000nmの光を利用できます。固体の吸収、反射、発光の測定を行うことができます。液体ヘリウムを用いて試料を10K付近まで冷却することができます。シングルバンチ運転時は蛍光寿命測定ができます。3m直入射分光器 1.2~30 eV
有機固体角度分解光電子分光装置(BL2B(有機固体ARPES))
IMG_00942.png VUV領域において有機固体の角度分解光電子分光を行うためのビームラインです。多彩な有機物に対応するための試料準備槽を備え、ゴニオ型分析器による直線偏光依存測定が可能です。測定試料温度(12K~400K)に対応します。BL2Bで新規にARPES実験装置を構築中です。18m球面回折格子分光器 24~205eV
入射器、光源リング等(加速器)
kasokuki.jpg 15MeV直線加速器、750MeVブースターシンクロトロン、750MeV電子蓄積リングを用いた量子ビーム利用や加速器利用ができます。詳細はお問い合わせください。

高分解能軟X線分光装置 (BL3U(その場観測軟X線分光))  *協力研究でご利用頂けます。

bl3u_2.jpg

軟X線領域において、気体、液体、固体などのその場観測分光測定によって化学状態分析が可能です。透過法による軟X線吸収を最適化するため、液体については20 nm - 2000 nmの範囲で試料厚み制御できる試料セルが利用できます。電気化学反応、触媒化学反応などの追跡も行えます。他に軟X線発光分光装置も装備しています。不等刻線平面回折格子分光器 40 - 800 eV

高分解能光電子分光装置(BL6U(固体・気体ARPES))   *協力研究でご利用頂けます。

BL6U_1.jpg

VUVから軟X線領域において固体・表面の角度分解光電子分光(ARPES)や軟X線吸収分光(XAS)、気体の光電子分光を装置切替によって行うことができます。特に固体表面ARPES装置は、非接触加熱機構、通電加熱機構、Arイオンスパッタ機構、高感度低速電子線回折(MCP-LEED)機構を備えており、様々な物質系のARPES/XAS実験が可能です。

不等刻線平面回折格子分光器 40 - 700 eV

軟X線磁気円二色性測定装置(XMCD(BL4B) *ナノテクノロジープラットフォームでご利用頂けます。
001_XMCD.jpg UVSOR BL4Bを用いた極低温高磁場X線磁気円二色性測定システム。薄膜作製用試料準備槽つき。利用エネルギー200-1000 eV, 試料温度5-60 K, 磁場±5 T (±7 Tまで一応可能)。作成した薄膜等を大気に曝すことなくそのまま元素選択磁性測定したい場合に有効です。
走査型透過軟X線顕微鏡(STXM(BL4U)   *ナノテクノロジープラットフォームでご利用頂けます。
IMG_0024.png UVSOR BL4Uを用いて顕微X線吸収微細構造解析による空間分解能30 nmでの化学状態分析とそのマッピングの利用・解析を支援します。エネルギーは100~700 eVまでが利用可能で、主として炭素、酸素、窒素の軽元素が主なターゲットです。また、水中雰囲気での試料の高分解能観察も可能です。

 

 

機器センター/ナノテクノロジープラットフォーム

機器センターの利用に関するお問い合わせは ic-pub@ims.ac.jpまで
(@は半角に変換してください)

【施設ホームページ】 http://ic.ims.ac.jp/
【施設利用の手引き】http://ic.ims.ac.jp/tebiki.html
【装置詳細と担当者】 http://ic.ims.ac.jp/kiki.html

電界放出形走査電子顕微鏡(FE-SEM)(JEOL JSM-6700F)
ic_ims_22 加速電圧0.5~30kV で、二次電子像、反射電子像を観察します。導電処理にはカーボンコーターを提供します。
集束イオンビーム加工機(FIB)(JEOL JEM-9310FIB)
ic_ims_23

加速電圧30kV のGa イオンビームにより、SEM、TEM 観察用試料を加工します。デポジション機能はカーボンに対応します。

低真空分析走査電子顕微鏡(日立ハイテクノロジーズ SU6600 BrukerAXS FQ5060/XFlash6)
semeds.jpg 加速電圧0.5~30kV で、二次電子像、反射電子像、明視野透過電子像を観察します。10Pa~300Pa の低真空観察に対応します。EDS(EDX)による元素分析や元素マッピングが可能です。

単結晶X線回折装置(Rigaku MERCURY CCD-1・R-AXIS IV)

ic_ims_1.jpg X線源(Mo・5kW)、CCD検出器を備えた単結晶X線回折装置。窒素ガス吹付式温度可変装置を備え100~400Kの温度測定が可能。

単結晶X線回折装置(Rigaku MERCURY CCD-2)

CCD-2.jpg X線源(Mo・5kW)、CCD検出器を備えた単結晶X線回折装置。窒素ガス吹付式温度可変装置を備え100~400Kの温度測定が可能。
単結晶X線回折装置 微小結晶(Rigaku MERCURY CCD-3)
ic_ims_2.jpg X線集光ミラーを備えた単結晶X線回折装置で従来の4倍程度のビーム強度を持ち、微小な結晶の解析に適する。ビーム径は 0.2mm 程度。また、ヘリウム/窒素切替式の吹付式試料冷却装置を備え25K程度までの低温測定が可能。
粉末X線回折装置(Rigaku RINT-UltimaIII)
ic_ims_3.jpg X線源(Cu・2kW)、シンチレーションカウンターを備えた粉末X線回折装置。光学系(集中法・平行ビーム法)や試料台等のオプションは、測定に合わせて選択可能。
X線溶液散乱計測システム(リガク NANO-Viewer)
saxs.jpg 小角散乱による溶液状試料(タンパク質、ミセル、コロイドなど)の構造解析
高輝度X線発生装置 RA-Micro7
2次元検出器 PILATUS200K
蛍光X線分析装置(JEOL JSX-3400RII)
keikou_1.jpg 高感度・高分解能 Si (Li) 半導体検出器を搭載している。
1mmφのコリメータによって微小異物もCCDカメラで観察しながら試料の分析ができる。
分析結果報告書作成ソフトによって、報告書が容易に作成可能。
機能性材料バンド構造顕微分析システム
011_ARUPS_1.jpg 静電半球型アナライザーを用いた機能性材料の価電子バンド構造測定システム。ディフレクターを使用することで2次元波数空間マッピングを行うことが可能。薄膜作製用真空チェンバー、試料表面処理チェンバー(電子衝撃加熱、通電加熱、Ar+スパッタが可能)、電子線回折装置、劈開機構を利用することができるため、 様々な機能性材料の測定に対応。
X線光電子分光装置(Omicron EA-125)
ic_ims_20 超高真空中で試料にX線を照射し、放出される電子(光電子)のエネルギー値を検出することにより、極表面の組成、化学状態解析が行える装置である。測定対象は、絶縁物から導体まで幅広くほとんどの材料に対して分析可能である。
電子スピン共鳴装置(Bruker E680)
ic_ims_17 高周波・高磁場W-band測定が可能なESR装置。その他、多周波数(X-、Q-band)、多種(パルス、多重共鳴)測定も可能。X-、Q-bandではナノ秒波長可変レーザーを用いた時間分解測定にも対応。
電子スピン共鳴装置(Bruker EMX Plus)
ic_ims_15 高感度X-bandキャビティを備えたcw-ESR装置。幅広い温度可変(LHe:3.8~300K、LN2:100~300K、Air:RT~500K)測定に対応。
電子スピン共鳴装置(Bruker E500)
ic_ims_16 X-bandに加えQ-bandにも対応したcw-ESR装置。X-bandでは1.5~4Kの温度可変やENDOR(電子-核二重共鳴)測定にも対応。
SQUID型磁化測定装置(Quantum Design MPMS-7)
ic_ims_18 7T超伝導磁石・超伝導量子干渉素子(SQUID)を搭載した高感度磁束計。1.9~400Kの温度可変に加え、オーブンを用いた高温測定(350~800K)にも対応。
SQUID型磁化測定装置(Quantum Design MPMS-XL7)
ic_ims_19 7T超伝導磁石・超伝導量子干渉素子(SQUID)を搭載した高感度磁束計。1.9~400KのDC測定に加え、AC測定が可能。超低磁場や電気抵抗測定にも対応。
熱分析装置 示差走査型カロリメーター/溶液(MicroCal VP-DSC)
vp_dsc_201704.jpg 示差走査型のカロリメーター。温度変化による、溶液中の試料の転移または変性の熱変化を測定できる。転移中点温度(Tm)、エンタルピー変化(ΔH)、熱容量変化(ΔCp)のパラメータを得ることができる。生体試料に特化した仕様のため、温度範囲は1℃~130℃。
熱分析装置 等温滴定型カロリメーター/溶液(MicroCal iTC200)
itc200_201704.jpg 等温滴定型のカロリメーター。一定温度下で、リガンド滴下によって生じる溶液中の相互作用の熱変化を測定できる。結合定数(K)、結合比(N)、エンタルピー変化(ΔH)、エントロピー変化(ΔS)のパラメータを得ることができる。温度範囲は2℃~80℃。
熱分析装置 固体・粉末(TA Instruments TGA2950、SDT2960、DSC2920)
ic_ims_6_2.jpg 熱重量変化測定(TGA)、示差熱・熱重量同時測定(SDT:Simultaneous DSC-TGA)、示差走査熱量測定(DSC)が可能。温度範囲は、TGA:室温~1000℃、SDT:室温~1500℃、DSC:-130~600℃。
MALDI-TOF質量分析計(Applied Biosystems Voyager DE-STR)
ic_ims_7.jpg イオン化部はマトリックス支援レーザー脱離イオン化(MALDI)、質量分離部が飛行時間型の質量分析計(TOF-MS)。測定には感度、分解能が異なるLinear modeとReflector modeの2種類が可能。
顕微ラマン分光装置(RENISHAW in Via Reflex)
ic_ims_26 顕微ラマン分光システムによる分子構造,局所結晶構造解析を支援。コンフォーカル光学系+冷却CCDによる高空間分解能,高感度観測。488 nm から 785 nm までの励起波長選択,ヘリウム温度までの試料冷却が可能。
FT遠赤外分光器(Bruker IFS66v/S)
ic_ims_25 遠赤外スペクトル測定支援。格子フォノン,分子ねじれ振動などの集団運動や分子間水素結合,配位結合等の弱い結合による光学モードを検出。
蛍光分光光度計(HORIBA SPEX Fluorolog3-21)
k14_keikou.JPG 紫外可視用と近赤外用の光電子増倍管を備え、フォトンカウンティング検出によって、波長1500 nmまで超微弱蛍光測定が可能。
高速波長スキャンで、蛍光励起スペクトル(3Dマトリックススキャン)も短時間で測定できる。
可視紫外分光光度計(Hitachi U-3500)
ic_ims_14 測定波長範囲(200nm~3200nm)が広く、ダブルモノクロによって超低迷光で高い吸光度の測定が可能。また、ダブルビーム方式でドリフトを補正し、高精度で安定な測定ができる。
円二色性分散計(JASCO J-720WI)
j720wi_201704.jpg 光学活性分子の立体構造(相対~絶対配置、立体配座、生体高分子の高次構造)を解析する手段として利用。付属品としてペルチェ式恒温装置、温度コントローラー、タンパク質二次構造解析プログラム、クライオスタット、MCDを所有。
ピコ秒レーザー(Spectra-Physics、Quantronix Millennia-Tsunami、TITAN-TOPAS)
k10_piko.JPG TOPASによって、紫外光から赤外光まで波長可変できるピコ秒パルスレーザー。
ディレイステージも備えポンプ・プローブ実験も可能。再生増幅器出力は、レーザー加工にも適用できる。
ナノ秒エキシマー励起色素レーザー(Coherent Compex Pro 110)
ic_ims_11 主として紫外から可視領域のナノ秒パルスレーザー光を発振させることができ、様々な分子の光励起光源等に用いることができる。
ナノ秒Nd:YAG励起OPOレーザー(Spectra Physics GCR-250 ScanmateOPPO)
041_nanoyag.jpg 主として可視から近赤外領域のナノ秒パルスレーザー光を発振させることができ、様々な分子の光励起光源等に用いることができる。
ナノ秒フッ素系エキシマ-レーザー(LAMBDA PHYSIK Compex110F)
042_nanof.jpg 193 nm、248 nm、351 nmのナノ秒パルスレーザー光を発振させることができ、光解離や光イオン化などの光源として用いることができる。 
核磁気共鳴装置(Bruker AVANCE 800US)
nmr800.jpg 800MHz溶液NMRによる生体分子複合体をはじめとする低溶解性物質などの高感度・高分解能測定支援。極低温プローブによる1H-13C-15N三重共鳴測定に対応。
核磁気共鳴装置(Bruker AVANCE 600)
Avance600.jpg 600MHz 固体NMRによる蛋白などの生体分子、有機材料、天然物などの精密構造解析支援。
1H-13C-15N 3重共鳴実験まで対応。
核磁気共鳴装置(JEOL JNM-ECA600)
eca600.jpg 溶液測定専用の600MHzの核磁気共鳴装置。3種類のプローブを所有しており、低周波数核種の多核測定や、長時間低温測定などの特殊な測定に対応。

 

装置開発室

施設利用に関するお問い合わせは、souchi@ims.ac.jp までメールにて御連絡ください。

【施設ホームページ】http://edcweb.ims.ac.jp/
【施設利用について】http://edcweb.ims.ac.jp/user.html

メカトロニクス・セクション

マシニングセンター(マキノ BN1-85)
BN1-85.png フライス削り、中ぐり、穴あけ、ねじ立て加工をNCプログラムにより行う。3軸同時制御加工による複雑形状の加工が可能。へ―ル加工オプションにより非回転工具での自由な形状の溝加工が可能。
加工範囲:X850㎜、Y500㎜、Z400㎜ 主軸回転数最大4000rpm。
NCフライス盤(マキノ AEV-74)
AEV-74.png NCプログラムを作成することなく手動で様々な形状加工が可能な操作型フライス盤。またNCプログラムによる3軸同時加工による複雑形状加工も可能。
加工範囲:X710㎜、Y400㎜、Z360㎜ 主軸回転数15~4000rpm 繰り返し位置決め精度±1.5μm
CNC旋盤(Mazak SQT100MY)
Mazak_SQT100MY.png 旋削加工とフライス加工の複合加工が可能。旋削加工後の穴開け、タップ加工、溝加工、フライス加工などがワークを取り外すことなく一台で行える複合NC旋盤。
最大加工径280mm。
ワイヤー放電加工機(三菱 DWC90H)
DWC90H.png ワイヤー電極と被加工物との間にアーク放電を発生させ、NCプログラムによりX-Yステージを移動させて輪郭切り抜き加工を行う。
加工範囲:X250、Y300 ワイヤーを所定の角度に傾けてテーパ形状加工が可能。 最大テーパ角:45度。
ワイヤー放電加工機(シャルミーROBOF1L2020SI)
ROBOF1L2020SI.png 最小ワイヤ径φ0.03㎜まで使用可能な高精度ワイヤー放電加工機。
加工範囲:X318mm、Y218㎜、Z114mm テーパー形状加工が可能。最大テーパ角:±30度(66mm)。
形彫NC放電加工機(ソデック A35R)
A35R.png 銅やグラファイト等で製作された工具電極を、加工物に近づけて放電を発生させて工具電極形状を転写する放電加工機。機械加工では困難な高硬度材の加工が可能。
加工範囲:X350mm、Y250mm、Z270mm
電子ビーム溶接機(日本電気 EWB)
EWB.png 真空中で熱電子を加速・収束させ溶接部に衝突させて加熱溶融し接合を行う。高融点金属の溶接、異種金属の溶接が可能。
加速電圧150KV、ビーム電流10mA。可能継ぎ手最大サイズは直線溶接200mm、円周溶接φ200㎜
3D測定顕微鏡(オリンパス STM6DF)
STM6DF.png 測定範囲X:150mm、Y:100mm、Z:120mm。XYZ位置カウンタ0.1μmまで表示。測定対物レンズ×5、×10、×20、×50、×100 ノルマルスキー微分干渉観察可能。フォーカス合成、寸法測定ソフト搭載
走査型電子顕微鏡(キーエンス VE-8800)
VE-8800.png 最大試料サイズφ64mm、試料ステージXY移動量32mm、Z移動量8mm~30mm、回転360度、傾斜-10度~+90度、反射電子像観察可能
非接触三次元測定装置(三鷹 NH-3SP)
mitaka-nh-3sp.png レーザープローブ方式の3次元測定器。各測定点でのオートフォーカス位置を読み取ることで3次元形状、断面形状、面粗さ、平面度測定などを行います。
最大測定範囲は、150mm×150mm、高さ110mm。オートフォーカス再現性0.01μm以下。
マイクロスコープ(キーエンス VHX-1000)
VHX-1000.png ズームレンズ100倍~1000倍、画像連結機能、深度合成機能、各種寸法測定機能など。
原子間力顕微鏡装置(セイコーインスツルメント SPA-400
SPA-400.png 最大試料サイズ:φ35mm厚み10㎜
スキャナー走査範囲:150μm×150μ(高さ5μm)、20μm×20μm(高さ1.5μm)AFMモード、DFMモード
一般工作機械
ippan_kousaku.png 汎用旋盤、汎用フライス盤、ボール盤、ノコ盤、せん断機、溶接機、サンドブラストなどの汎用工作機器


【エレトロニクス・セクション

プリント基板加工機(Accurate 427)
DSC07288_1.jpg ミーリング加工方式のプリント基板加工機。標準のガーバーフォーマット(Gerber Format)による加工データを利用可能。
加工範囲:304mm-229mm、自動ツール交換、最小トラック幅:0.1mm、最小ギャップ幅:0.1mm。
ネットワーク/スペクトラム/インピーダンス・アナライザ(アジレントテクノロジー 4396B)
4396B.png ネットワークアナライザ:周波数レンジ100KHz-1.8GHz、120dBダイナミックレンジ。スペクトラム解析:周波数レンジ2Hz-1.8GHz、-147dBm/hzの感度。インピーダンス解析:周波数レンジ100KHz-1.8GHz、等価回路解析機能。
ロジック・アナライザ(テクトロニクス TLA5201)
TLA5201.png 32チャンネルのデータ入力と2チャンネルのクロック入力を持つロジック・アナライザ。全チャネル125ps分解能タイミング同時解析可能。235MHzステート解析。
スペクトラムアナライザー(アドバンテスト R3361B
R3361B.png 周波数レンジ:9KHz-3.6GHzのスペクトラムアナライザー。ダイナミックレンジ:+25dBm to -120dBm。RBW:30Hz-1Mhz。トラッキングジェネレータ内蔵。
デジタル オシロスコープ(レクロイ 6200A)
6200A.png 周波数帯域 2GHzの4チャネル入力デジタル・オシロスコープ。
立ち上がり:225ps。最大入力電圧:50Ω終端で5Vrms、1MΩ終端で250V最大。垂直分解能:8ビット
LCRメータ(HP 4275A)
4275A.png 測定範囲:L(0.001nH-199.99H)、C(0.01fF-199.99μF)、R/|Z|(0.01mΩ-19.999MΩ)、D(0.00001-9.9999)、Q(0.01-9900)、G/B(0.01nS-19.999S)、θ(0.01°-180.00°)。測定周波数:10KHz-10MHz。
LCRメータ(エヌエフ回路設計ブロック ZM2353)
ZM2353.png 測定範囲:L(0.00nH-19.999KH)、C(0.000pF-199.99mF)、R/|Z|(0.0mΩ-19.999MΩ)、D(0.0000-19999)、Q(0.0000-19999)、G(0.0nS-199.99S)、θ(-180°- +179.99°)。測定周波数:40Hz-200KHz。
ファンクション・ジェネレータ(テクトロニクス AFG3251)
AFG3251.png 1チャンネル出力。出力波形:正弦波、方形波、パルス波、ランプ波、その他(Sin(x)/x、指数立上り、指数立下り、Gaussian、Lorenz、Haversine、DC、ノイズ)、任意波形。周波数範囲:1μHz-240MHz。振幅(50Ω):50mVpp-5Vpp。
直流電圧・電流源(エーディーシー 6243)
6243.png 電圧0~±110V、電流0~±2Aの発生・測定範囲を持つ直流電圧・電流源/モニタ。
発生分解能4・1/2桁、測定分解能5・1/2桁、各種掃引機能、最小パルス幅1msのパルス測定機能。

 

ナノテクノロジープラットフォーム

【施設ホームページ】http://nanoims.ims.ac.jp/ims/index.html

機器センターの装置、及び以下の装置が利用できます。企業の方もご利用になれます。 

軟X線磁気円二色性測定装置(XMCD(BL4B)) 

 極端紫外光研究施設(UVSOR)の装置一覧をご覧ください。

 

走査型透過軟X線顕微鏡(STXM(BL4U)

 極端紫外光研究施設(UVSOR)の装置一覧をご覧ください。

 

マスクレス露光装置(ナノシステムソリューションズ DL-1000/IMC)
003_mask.jpg PC(Personal Computer)上で作画した任意のパターンデータを入力することでフォトマスクを用いることなく直接基板上の感光性樹脂材料(フォトレジスト)に転写できる露光装置。405nmLED、1W/cm2 露光範囲100㎜×100㎜
段差計(ケーエルエー・テンコール P-7)
P-7.png ダイヤモンドスタイラスで測定物表面を低針圧にて行う触針式表面形状測定器。最大測定範囲:150㎜、最大測定レンジ:327μm Z軸分解能:0.2Å
精密温度調整機能付クリーンブース(アイテックス CSC4747C)
CSC4747C.png 温度23度±1℃、湿度50%±2%、クラス10000 仕様のイエロークリーンブースです。フォトリソグラフィーに関する作業(基板洗浄、各種レジスト塗布、露光、現像、アッシング、エッチングなど)に利用可能。
フォトリソ装置(スピンコーターMS-A100 マスクアライナーMA-10)
MS-A100.png スピンコーター、マスクアライナー、ホットプレート、電気炉、プラズマクリーナー、ドラフト等を利用して、各種レジスト塗布、露光、現像などのリソグラフィー作業が可能。
スピンコーター塗布可能基板サイズφ4インチ、マスクアライナー基板サイズφ4インチまで、フォトマスクサイズ 3×3インチ、4×4インチ、250W水銀灯
局所排気装置(ダルトン スクラバーユニット横置き型エッチングブース 1200㎜)
dalton.png 強酸対応可能なPVC製ドラフトチャンバー、フォトリソグラフィーのエッチング工程などに可能。
3次元光学プロファイラーシステム(ZYGO Nexview)
ZYGO_Nexview.png 非接触で3次元形状測定、表面粗さ測定を行う装置です。□46.5㎜範囲の3次元形状測定や、Ra0.1nm以下の超精密面の測定、透明膜の厚さ測定(1μm以上)など。X-Yステージ可動範囲200㎜×200㎜。Z軸可動範囲100㎜
 

小型2源RFスパッタ装置(デポダウン)(クライオバック RSP-4-RF3×2)

20170227.jpg

スパッタリング法により、基板上に厚さ数10~数100nmの薄膜を成膜する装置。Au、Nb、Tiなどの成膜が可能。

電源:RF 300W、ターゲットサイズ:φ3インチ×2基、基板ステージサイズ:φ120mm、基板加熱温度:600℃ max、ガス導入系:2系統(Ar、N2)、膜厚分布:φ45mm内で±10%程度