分子科学研究所

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演 題 「量子ネルンスト効果」
日 時 2006年05月12日(金) 13:00
講演者 白崎良演(横浜国立大学・工学研究院)
場 所

分子研 南実験棟102号室

概 要

磁場中の半導体に磁場に垂直な方向の温度勾配を与えると起電力が生じるが、この現象はネルンスト効果と呼ばれている。我々は特に電子のエネルギー散逸が非 常に弱くなる、極低温下、数十μm以下のサイズの2次元電子系において、ネルンスト係数に激しい振動が現れる ことを端電流モデルにより理論予想した(量子ネルンスト効果)。更に、我々はバルク部の熱流・熱流相関関数、電流・熱流相関関数等を求めて、熱伝導・電流 の方程式を構成し、ネルンスト係数と熱電能を調べた。こうして求めた場合でも量子ネルンスト効果、熱コンダクタンスのプラトーが理論的に示される。

お問合せ先

米満賢治(分子基礎理論第三研究部門)