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研究会・セミナー
日 時 | 2010年12月10日(金) 14:30 |
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講演者 | 前島 展也氏(筑波大学大学院 数理物質科学研究科) |
場 所 | 分子科学研究所 南実験棟S408号室 |
概 要 | 強い単色THzレーザーを半導体超格子に照射すると、系の電子(正孔)はFloquet状態と呼ばれる非平衡定常状態を形成する。このFloquet状態にある電子 (正孔)は、直観的には光の衣を纏った光着衣電子(正孔)として理解され、またこの光着衣状態は、駆動レーザーの周波数やレーザー強度を調整することで制御することが可能である。本講演では、このような光着衣状態が静電場に置かれた状況(ワニエシュタルク階段)や、光着衣電子-正孔対が存在する状況において形成される量子状態の解析結果について報告する。 |
お問合せ先 | 米満賢治(理論・計算分子科学研究領域) |