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| 演 題 | 「Understanding Correlation among Electron-Phonon-Spin Degree of Freedom in Advanced Molecular Optoelectronics」 |
|---|---|
| 日 時 | 2022年07月04日(月) 17:00 |
| 講演者 | 宮田潔志（九州大学 助教） |
| 場 所 | Online (Zoom) |
| 概 要 | ※この講演は4月25日に予定されていた講演です。
Microscopic understanding of exciton and carrier physics in molecular materials for optoelectronics is a great challenge because of their complexity resulting from strong electron-phonon coupling and perhaps interaction to spin degree of freedom; e.g. superior optoelectronic properties of lead-halide perovskites materials likely originate from its unique electron-phonon coupled dielectric screening of carriers [1,2], electron spin-flip of intersystem crossing in molecular optoelectronic materials are strongly connected to molecular geometries in the excited states and vibronic coupling [3,4], and singlet fission, ultrafast generation of a correlated triplet pair state from a singlet excited state, is viewed as an extreme example of a concerted process of electron-phonon-spin degrees of freedom [5,6]. Here, I would like to discuss a few topics mainly focusing on thermally activated delayed fluorescence and singlet fission materials regarding the quest to understand the functions using various time-resolved spectroscopy.
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