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(H)装置開発室施設利用 公募要項

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利用期間

平成29年4月~平成30年3月

申込期限


平成28年12月9日(金)17:00締切
 

通常申請の申込みは終了しました。
随時申請につきましては、決まり次第掲載いたします。

 

ただし、期限までに利用計画が確定できない場合は、随時受け付けます。なお、随時申請の場合の利用期間は許可をした日から平成29年9月30日までです。

受入れの可否 利用状況及び申込書の研究計画等を検討の上、当該研究施設の長が決定します。
施設利用日数 1回の利用日数は原則として7日以内とします。
利用状況、研究計画等を勘案し、利用日数を短縮していただくことがあります。
震災被災研究者支援のための特別枠では、上記の利用日数を超えた施設利用も可能です。その場合は、装置開発室長を所内対応者とした(B)協力研究の特別枠として申請して下さい。
利用方法 各利用設備責任者の指示に従って利用許可の範囲内で利用してください。
利用報告 施設利用実施報告書を、申請期間終了までに装置開発室長へ提出していただきます。一部の課題については、別途 Activity Report の提出をお願いする場合があります。また、「分子研レターズ」に成果報告をお願いすることがあります。
放射線業務従事
承認書の提出
電子ビーム熔接機を使用する場合は、申込書と併せて別紙様式第4号の承認書を提出してください。なお、従事期間は、個々に区切らず全体を包括するよう設定してください。
装置開発室の
設備利用
装置開発室では以下に示す設備を保有しております。研究装置の試作や共同研究などに利用できます。

主な設備備品
〔メカトロニクス・セクション〕

フォトリソ装置
[ナノ]マスクレス露光装置/ナノシステムソリューションズ DL-1000
    その他リソグラフィ関連設備 (マイクロストラクチャー製作・評価支援)
[ナノ]3次元光学プロファイラー/ZYGO NexView
    (マイクロストラクチャー製作・評価支援)ほか
マシニングセンター(マキノ BN1-85)、NCフライス盤(マキノ AEV-74)、CNC旋盤(Mazak SQT100MY)、ワイヤー放電加工機(三菱 DWC90H、シャルミーROBOF1L2020SI)、形彫NC放電加工機(ソデック A35R)、電子ビーム溶接機(日本電気 EWB)、3D測定顕微鏡(オリンパス STM6DF)、走査型電子顕微鏡(キーエンス VE-8800)、非接触三次元測定装置(三鷹 NH-3SP)、原子間力顕微鏡(SII SPA400)他一般工作機械及びCAD・CAMシステムなど。

〔エレクトロニクス・セクション〕
プリント基板加工機(ACCURATE A427A)、ネットワーク/スペクトラム/インピーダンス・アナライザ(アジレントテクノロジー 4396B)、ロジック・アナライザ(テクトロニクス TLA5201)、スペクトラムアナライザー(アドバンテスト R3361B)、デジタル オシロスコープ(レクロイ 6200A)、LCRメータ(NF ZM2353)、ファンクション・ジェネレータ(テクトロニクス AFG3251)、直流電圧・電流源(エーディーシー 6243)など。

[ナノ]の表示のある機器を一つでも利用する場合は、文部科学省「ナノテクノロジープラットフォーム事業」としての取扱いとなります。[ナノテクノロジープラットフォーム]用の申込書にて申請してください。
詳細は、ホームページhttp://nanoims.ims.ac.jp/ims/index.html)をご覧ください。
装置開発室の
開発・製作依頼
装置開発室では、「装置開発」支援(ナノテクノロジープラットフォーム・協力研究)として実験装置等の開発製作依頼を受け入れます。(材料費は負担願います)これらは、分子科学分野への技術的貢献、装置開発室の技術水準の向上、装置開発室の保有する技術の積極的活用を目的としています。申込みに当たっては、事前に装置開発室の対応者と十分協議した上で「ナノテクノロジープラットフォーム」用の申込書にて申請して下さい。

※平成27年度後期より、実験装置の開発・製作依頼は「ナノテクノロジープラットフォーム事業」としての取扱いとなります。なお、装置開発室設備のみ利用の場合は、従来どおり「装置開発室施設利用申込書」で申請してください。